УЧЕБНИК СССР - Физическая электроника и микроэлектроника

Учебное пособие СССР

Книга "Физическая электроника и микроэлектроника"

Автор: Росадо Л.

1991 г.

Страниц: 351

Росадо Л.

Физическая электроника и микроэлектроника: Пер. с испан. С. И. Баскакова/Под ред. В. А. Терехова; Предисл.  В. А. Терехова.— М.:  Высш.  шк.,   1991.— 351 с:  ил.

В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной технологии. Весь материал разбит на порции, включающие теоретический материал, упражнения, примеры решения и задачи, в том числе с разбором решений. Каждая глава заканчивается концептуальной  диаграммой.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие редактора перевода

Предисловие автора

ГЛАВА 1

ВВЕДЕНИЕ

1.1.  Определения

1.1.1.  Физическая электроника

1.1.2.  Микроэлектроника

1.1.3.  Технология   производства   дискретных   полупроводниковых приборов   и   ИС

1.2.   Исторический   обзор

1.2.1  Физическая   электроника   и   микроэлектроника

1.2.2.  Полупроводниковые   и   электровакуумные   приборы,   предшествовавшие   транзистору

1.2.3.  Исторический обзор со времени изобретения транзистора

1.3.  Современное  состояние   электроники

ГЛАВА 2

МОДЕЛИ   СТРУКТУР  ПОЛУПРОВОДНИКОВ

2.1.  Модель   ковалентной   связи

2.1.1.  Кристаллическая   решетка

2.1.2.  Электроны   и   дырки

2.2.  Модель   энергетических   зон

2.2.1.  Простая   модель   энергетических   зон

2.2.2.  Математическая   модель   энергетических   зон

2.3.  Концептуальная   диаграмма

2.4.  Упражнения  для  самопроверки

2.5.  Решения

2.6.  Задачи

ГЛАВА  3

НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА   В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

3.1. Равновесное состояние полупроводника. Явления переноса при стационарно   неравновесных режимах

3.1.1. Плотность   заполнения   уровней

3.1.2.  Функция   распределения   Ферми — Дирака

3.1.3.  Концентрация   носителей   заряда

3.1.4.  Собственные   и   примесные   полупроводники

3.1.5.  Явления  переноса  в условиях стационарной неравновесности

3.2.  Неравновесные  процессы  в   полупроводниках

3.2.1.  Процессы   генерации   и   рекомбинации

3.2.2.  Внутреннее   электрическое   поле

3.2.3.  Квазиуровни   и   квазипотенциалы   Ферми

3.2.4.  Явление переноса в динамически неравновесном состоянии

3.3.  Основные   уравнения,   описывающие   процессы   в   полупроводниковых приборах

3.4.  Концептуальная   диаграмма

3.5.  Упражнения  для  самопроверки

3.6.  Решения

3.7.  Задачи

ГЛАВА  4

ФИЗИЧЕСКИЕ  ЯВЛЕНИЯ  В p-n-ПЕРЕХОДЕ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ  ДИОДЫ

4.1.  Равновесное   состояние  p-n-перехода

4.2.  Работа  p-n-перехода   при   внешнем   напряжении.   Полупроводниковый диод

4.2.1.  Качественное рассмотрение свойств смещенного перехода (при внешнем напряжении)

4.2.2.  Барьерная   емкость   обратносмещенного   перехода

4.2.3.  Математическая  модель   диода.   Уравнение   Шокли

4.3.  Явления   пробоя

4.4.  Малосигнальные  модели диода

4.4.1.  Математическая  модель

4.4.2.  Эквивалентная  схема  диода  с p+-n -переходом

4.5.  Процессы  переключения  в  диоде.  Режим большого  сигнала

4.5.1. Явления   при   выключении   диода

4.6.  Переход металл — полупроводник

4.6.1. Диоды   Шотки

4.7.  Переход   полупроводник—полупроводник   (гетеропереход)

4.8.  Диоды   для   оптоэлектроники

4.8.1.  Солнечный    элемент

4.8.2.  Светоизлучающий   диод

4.8.3.  Лазеры  с p-n-переходами  и  гетеропереходами

4.9.  Концептуальная   диаграмма

4.10.  Упражнения  для   самопроверки

4.11.  Решения

4.12.  Задачи

ГЛАВА   5

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

5.1.  Введение  в   теорию   идеального  МОП-конденсатора

5.1.1.  Режимы   обогащения,   обеднения   и   инверсии

5.1.2.  Поверхностный   заряд   в   режимах   обогащения,   обеднения и    инверсии

5.2.  Идеальный   МОП   конденсатор

5.2.1.  Вольт-фарадная  характеристика  в  режиме  малого  сигнала

5.2.2.   Пороговое   напряжение

5.3.  Реальный   МОП   конденсатор

5.3.1.  Факторы, определяющие идеальную вольт-фарадную характеристику

5.3.2.  Пороговое   напряжение   и   напряжение   плоских   зон

5.4.  Идеальный   МОП-транзистор

5.4.1.  Идеальная   физическая   структура

5.4.2.  Принцип   работы

5.4.3.  Вольт-амперные    характеристики

5.4.4.  Параметры  эквивалентной  схемы  в  динамическом  режиме

5.5.  Реальный  МОП-транзистор

5.6.  Идеальный  полевой  транзистор  с  управляющим p-n-переходом

5.6.1.  Структура   и   принцип   действия

5.6.2.  Рабочие   характеристики

5.6.3.  Эквивалентная   схема

5.7.  Реальный  полевой  транзистор  с  управляющим  р-и-переходом

5.8.  Полевой   транзистор   с   управляющим   переходом   металл — полупроводник

5.9.  Концептуальная   диаграмма

5.10.  Упражнения  для  самопроверки

5.11.  Решения

5.12.  Задачи

ГЛАВА  6

ФИЗИЧЕСКИЕ  ПРИНЦИПЫ  РАБОТЫ  БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА  И   ТИРИСТОРА

6.1.  Структура  биполярного  транзистора  и  принцип  его  работы

6.1.1. Схемы   включения   транзистора

6.2.  Параметры   транзистора

6.2.1.  Параметры   на   постоянном   токе

6.2.2.  Параметры   на  переменном   токе   (режим   малого   сигнала)

6.2.3.  Аналитические выражения параметров транзистора на постоянном   токе

6.3.  Частотные   свойства   транзистора

6.3.1. Время   пролета   носителей   через   базу

6.4.  Явления,  наблюдаемые  при  высоком  уровне  инжекции

6.5.  Статическая   модель  биполярного   транзистора

6.5.1. Упрощения   и   гипотезы

6.5.2.  Распределение   концентрации   носителей   заряда   в   области базы,  эмиттера   и  коллектора

6.5.3.  Модель   Эберса — Молла

6.5.4.  Эквивалентная  схема  для  модели  Эберса — Молла

6.6.  Модели  транзистора  в  режиме  малого  сигнала

6.6.1. Гибридная П-образная эквивалентная схема транзистора на низких  и  высоких  частотах

6.7.  Зарядовая  модель  биполярного  транзистора

6.7.1. Зарядовая  модель  структуры  с p-n-переходом

6.7.2. Зарядовая  модель   транзистора  в  активном  режиме

6.7.3. Применение  модели

6.8.  Транзистор  в   режиме   переключения

6.9.  Тиристоры

6.9.1. Управляемый   тиристор

6.10.  Концептуальная   диаграмма

6.11.  Упражнения  для  самопроверки

6.12.  Решения

6.13.  Задачи

ГЛАВА  7

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА  И  ПРОИЗВОДСТВО  ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

7.1.  Микроэлектроника   и  интегральные  схемы

7.1.1.  Классификация   ИС

7.1.2.  Достоинства  и  недостатки   ИС

7.2.  Производство  интегральных  схем

7.2.1. Производственные   процессы

7.3.  Проектирование  интегральных  схем

7.3.1.  Изоляция

7.3.2.  Проектирование  с  помощью  ЭВМ

7.4.  Процессы   изготовления

7.4.1.  Подготовительные  операции

7.4.2.  Фотолитография

7.4.3.  Диффузия

7.4.4.  Эпитаксиальный   процесс

7.4.5.  Термическое   оксидирование

7.4.6.  Ионная  имплантация

7.4.7.  Металлизация

7.5.  Присоединение  выводов,   установка  в  корпус  и  испытания

7.6.  Резисторы  и  конденсаторы  ИС

7.6.1.  Резисторы

7.6.2.  Конденсаторы

7.7.  Концептуальная   диаграмма

7.8.  Упражнения  для  самопроверки

7.9.  Решения

7.10.  Задачи

ГЛАВА  8

БИПОЛЯРНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ  СХЕМЫ

8.1.  Биполярные   транзисторы  ИС

8.1.1.  Транзистор  типа  n-p-n со  скрытым  слоем

8.1.2.  Транзистор  типа p-n-p  с  горизонтальной  структурой

8.1.3.  Транзистор  типа p-n-p  с  вертикальной  структурой

8.1.4.  Составной p-n-p-транзистор

8.2.   Диоды   ИС

8.2.1. Диоды Шотки ИС

8.3.  Электротермические  модели   биполярных   ИС

8.3.1.  Электротермическая   модель   резистора

8.3.2.  Электротермическая   модель   диода

8.3.3.  Электротермическая  модель  n-p-n-транзистора

8.3.4.  Применение   электротермических   моделей

8.4.  Биполярные   СБИС

8.4.1.  Изопланарный   процесс

8.4.2.  Поликремниевый  процесс с самосовмещением

8.5.  Семейства  биполярных  логических  ИС

8.5.1.  Интегральная  инжекционная   логика  И2Л

8.5.2.  Логика  с  транзистором  Шотки  (ТЛШ)

8.5.3.  Инжекционная  логика   Шотки   (И2ЛШ)

8.5.4.  Эмиттерно-связанная  логика  (ЭСЛ)

8.5.5.  Диодно-транзисторная  логика   (ДТЛ)

8.5.6.  Транзисторно-транзисторная  логика   (ТТЛ)

8.6.  Основные  типы  аналоговых  биполярных  ИС

8.6.1.  Дифференциальные   усилители

8.6.2.  Операционные  усилители

8.7. Концептуальная диаграмма

8.8. Упражнения  для самопроверки

8.9. Решения

8.10. Задачи

ГЛАВА  9

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ  СХЕМЫ  НА  ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

9.1.  МОП-транзистор

9.1.1. Основные характеристики, физические процессы и применения  МОП   ИС

9.2.  Логика  p-МОП

9.2.1. Основные  уравнения  p-МОП-транзистора

9.3.  Логика  n-МОП

9.3.1.  Рабочие характеристики транзистора n-МОП в режиме обогащения

9.3.2.  Основные  уравнения   транзистора  типа   n-МОП

9.3.3.  Запоминающие  устройства  типа  n-МОП

9.4.  Логика   КМОП

9.4.1. Некоторые   характеристики   КМОП-приборов

9.4.2.  Сопоставление   структур   КМОП   и   n-МОП

9.4.3.  Применение      ионной   имплантации      для      производства КМОП   ИС

9.4.4.  Приборы   КМОП   с   кремниевыми   затворами

9.5.  Логические  устройства  типов  КМОП-КНС   и  КМОП-КНД

9.6.  Использование   МОП-технологии  в   СБИС

9.6.1. Уменьшение  размеров   устройств

9.7.  Комбинированные   технологии

9.7.1.  КМОП/биполярные   интегральные   схемы

9.7.2.  МОП/КМОП/биполярные   интегральные   схемы

9.8.  Приборы  с   зарядовой  связью

9.8.1.  Поверхностный   потенциал   в   ПЗС

9.8.2.  Применение    ПЗС

9.9.  Интегральные схемы на основе полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом  и  с  переходом  металл — полупроводник

9.9.1.  Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и каналом   n-типа

9.9.2.  Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и каналом   p-типа.

9.9.3.  Полевые транзисторы с управляющим переходом металл — полупроводник

9.10.  Концептуальная   диаграмма

9.11.  Упражнения  для  самопроверки

9.12.  Решения

9.13.  Задачи

ГЛАВА   10

ТЕНДЕНЦИИ   РАЗВИТИЯ   ФИЗИЧЕСКОЙ  ЭЛЕКТРОНИКИ И   МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

10.1.  Материалы,  методы  проектирования  и  технологические  процессы

10.1.1.  Материалы

10.1.2.  Проектирование   и   процессы   изготовления

10.2.  Современные  технологии

10.3.  Приборы   ближайшего   будущего

Ответы   и   указания   к   упражнениям   и   задачам

Приложения

Приложение 1. Соотношения между некоторыми физическими единицами.

Множители для образования дольных и кратных единиц

Приложение 2. Некоторые   физические   постоянные

Приложение 3. Параметры  германия,  кремния  и   арсенида  галлия

Приложение 4. Некоторые  свойства  химических  элементов

Приложение 5. Некоторые  полезные  графики

Приложение 6. Пересчет   параметров   четырехполюсника

Приложение 7. Связь   между   h-параметрами   транзисторов в различных схемах  включения

Приложение 8. Физические   параметры   полупроводников

Список   литературы

Предметный указатель. 

Доставка по России - 200 рублей.

В наличии.

ПРЕЖДЕ, ЧЕМ ДЕЛАТЬ СТАВКУ, - ХОРОШО ПОДУМАЙТЕ,
А НЕОБХОДИМ ЛИ ВАМ ДАННЫЙ ЛОТ !!!

 Предоплату можно осуществить одним из нижеперечисленных способов:

• - почтовый перевод
• - перевод CONTACT (через платежную систему КОНТАКТ)
• - банковский перевод (карточка СБЕРБАНКа)
• - webmoney
• - Яндекс.Деньги
• - предложите свой вариант

Покупатель и продавец выходят на связь в течение трех дней, выкупается лот в течение четырех дней. Если лот в течение семи дней не выкупается, то он перевыставляется... А покупателю дается отрицательный отзыв...

Цена пересылки лота ориентировочная, она меняется в зависимости от тарифов почты. Этот пункт всегда требует дополнительного уточнения. За работу почты ответственность не несу! Трек-номер предоставляю после отправки лота. За отдельную плату могу предоставить фотоотчет об отправке.

С наложенным платежом НЕ РАБОТАЮ !!!

Указывайте свой адрес и телефон сразу в первом письме после вашей покупки. Лот отправляется сразу после получения предоплаты. Отправка за границу осуществляется только после предварительного обсуждения с покупателем. Все вопросы задавайте до осуществления ставки!

Если у покупателя нулевой рейтинг - подтвердите пожалуйста через форму "Задать вопрос продавцу" Ваше непреодолимое желание приобрести лот.

Посмотреть страницу "Обо мне"

СПРАШИВАЙТЕ!!!
Всегда в продаже любые носители информации и источники питания!!!
(флешки, карты памяти, винчестеры, кард-ридеры, аккумуляторы, батареи)

Модель и цену уточняйте через форму "Задать вопрос продавцу".

*** !!! Смотрите другие мои лоты !!! ***

СПАСИБО ЗА ПРОСМОТР МОЕГО ЛОТА!

УДАЧНЫХ ВАМ ПОКУПОК !